扬杰电子MG600HF065TLC2 IGBT模块:大功率应用的卓越解决方案

在当今新能源和工业电力电子领域,高效、可靠的功率半导体器件是实现设备高性能运行的核心。扬杰推出的MG600HF065TLC2 IGBT模块,以其卓越的性能和可靠性,成为高功率应用的理想选择。

wKgZO2hT0HeAAphqAAF7otd_Cvc042.png

产品概述

MG600HF065TLC2是一款电压等级为650V、额定电流高达600A的高性能IGBT模块。采用先进的沟槽技术,模块实现了极低的饱和压降,显著提升了能效表现。内置超快软恢复反并联二极管,模块最高结温可达175℃,并具备3000A的短路电流承受能力(6μs),特别适合高功率密度应用场景。

核心优势

高效能与低损耗模块采用优化的沟槽结构,开关损耗极低(Eon=29.1mJ,Eoff=20.5mJ),配合仅0.06K/W(IGBT部分)的超低热阻,确保系统在高负载下仍能保持稳定运行。其快速开关特性(开启延迟时间291ns)特别适合高频应用。

工业级可靠性模块通过2500V隔离电压测试,工作温度范围宽达-40℃至150℃。独特的低电感封装设计(杂散电感<40nH)有效降低了开关过程中的电压应力,延长了使用寿命。

集成化设计模块集成了高性能IGBT和快速恢复二极管(VF低至1.55V@150℃),提供完整的功率开关解决方案。这种设计显著简化了系统布局,减少了外部元器件需求。

典型应用

MG600HF065TLC2特别适用于以下高要求场景:

光伏逆变器:为太阳能系统提供高效能量转换

工业焊机:确保焊接设备的高稳定性和能效

大功率UPS:保障关键电力系统的可靠运行

高频驱动系统:满足精密控制需求

技术亮点

模块的关键性能参数包括:

电气特性:栅极阈值电压5.8V(典型值),输入电容37.9nF

开关特性:上升时间191ns,下降时间仅97ns

二极管性能:反向恢复电荷7.2μC,峰值恢复电流249A

机械特性:模块重量315g,推荐安装扭矩3.0-5.0N·m

更多有关IGBT模块,贴片Y电容,电解电容的知识,期待小编的下一篇文章哦!

审核编辑 黄宇

为您推荐

选择基本半导体SiC碳化硅功率模块,赋能盘式电机驱动新纪元

选择基本半导体SiC碳化硅功率模块,赋能盘式电机驱动新纪元

SiC碳化硅功率模块在盘式电机驱动器中的革新应用:BMF240R12E2G3与BMF008MR12E2G3技术特点...

基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的产品力分析

基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的产品力分析

从基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的产品力分析,中国SiC碳化硅MO...

2025-06-26 标签:新能源功率机械能源
第十六章 常用存储器介绍

第十六章 常用存储器介绍

单芯片解决方案,开启全新体验——W55MH32 高性能以太网单片机 W55MH32是WIZnet重磅推出的高性能以...

第十八章 I2C通信测试

第十八章 I2C通信测试

单芯片解决方案,开启全新体验——W55MH32 高性能以太网单片机 W55MH32是WIZnet重磅推出的高性能以...

Linux系统查看及修改设备型号信息,触觉智能RK3562开发板演示

Linux系统查看及修改设备型号信息,触觉智能RK3562开发板演示

本文介绍Linux系统如何查看及修改设备型号信息的方法,适用于想查看设备型号信息或者想将设备型号信息修改为自己项目的名称...

当前非电脑浏览器正常宽度,请使用移动设备访问本站!